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IRLD120PBF

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  • 大小:1681KB
  • 廠家:
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
  • 數據列表:IRLD120PBF
  • 標準包裝:2,500
  • 類別:分離式半導體產品
  • 家庭:FET - 單
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點:邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss):100V
  • 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:1.3A
  • 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫歐 @ 780mA,5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs:12nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds:490pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.3W
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)
  • 供應商設備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
  • 包裝:管件
  • 其它名稱:*IRLD120PBF
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